核心提示:
日立有限公司與瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)今天發(fā)布了低功耗相位轉(zhuǎn)換存儲器單元的成功原型。這種非易失半導(dǎo)體存儲單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進(jìn)行編程——與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比,每個(gè)單元的功耗降低了50%。此外,相對于現(xiàn)有的非易失存儲器,新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此,這些原型可在下一代微控制器中為諸如信息設(shè)備、家用電器,以及車載設(shè)備和控制系統(tǒng)等嵌入式應(yīng)用的片上編程和數(shù)據(jù)存儲提供一種頗具前途的解決方案。
該原型單元采用130納米CMOS工藝制造。其結(jié)構(gòu)采用了MOS晶體管和一層在熱響應(yīng)中呈非晶體狀態(tài)*(高阻抗)或晶狀(低阻抗)的相位轉(zhuǎn)換薄膜。兩種狀態(tài)的編程是通過180納米直徑的鎢下電極接點(diǎn)(BEC)實(shí)現(xiàn)的。在一次讀操作中,存儲的數(shù)字(1或0)信息是由薄膜中電流流動(dòng)量的差別決定的。
為了獲得突破性的功耗效果,日立和瑞薩的研究人員開發(fā)了一種原創(chuàng)的具有低電壓編程能力的低電流相位轉(zhuǎn)換薄膜。他們利用一種受控制的鍺-銻-碲(GeSbTe)氧摻雜材料生長出了這種薄膜。氧摻雜能夠使相位轉(zhuǎn)換薄膜的阻抗限制在一個(gè)最理想的水平,同時(shí)可抑制編程期間過大的電流流過。此外,該單元的實(shí)現(xiàn)可以減少形成這些單元的MOS晶體管的門寬度,以及驅(qū)動(dòng)輸出MOS晶體管的數(shù)量,從而有助于縮小存儲器單元和驅(qū)動(dòng)電路的尺寸。
突破性的低功耗MOS相位轉(zhuǎn)換存儲器單元技術(shù)的細(xì)節(jié)已在2005年12月5日于美國華盛頓特區(qū)舉行的國際電子器件會議上宣讀的技術(shù)論文中披露。
該原型單元采用130納米CMOS工藝制造。其結(jié)構(gòu)采用了MOS晶體管和一層在熱響應(yīng)中呈非晶體狀態(tài)*(高阻抗)或晶狀(低阻抗)的相位轉(zhuǎn)換薄膜。兩種狀態(tài)的編程是通過180納米直徑的鎢下電極接點(diǎn)(BEC)實(shí)現(xiàn)的。在一次讀操作中,存儲的數(shù)字(1或0)信息是由薄膜中電流流動(dòng)量的差別決定的。
為了獲得突破性的功耗效果,日立和瑞薩的研究人員開發(fā)了一種原創(chuàng)的具有低電壓編程能力的低電流相位轉(zhuǎn)換薄膜。他們利用一種受控制的鍺-銻-碲(GeSbTe)氧摻雜材料生長出了這種薄膜。氧摻雜能夠使相位轉(zhuǎn)換薄膜的阻抗限制在一個(gè)最理想的水平,同時(shí)可抑制編程期間過大的電流流過。此外,該單元的實(shí)現(xiàn)可以減少形成這些單元的MOS晶體管的門寬度,以及驅(qū)動(dòng)輸出MOS晶體管的數(shù)量,從而有助于縮小存儲器單元和驅(qū)動(dòng)電路的尺寸。
突破性的低功耗MOS相位轉(zhuǎn)換存儲器單元技術(shù)的細(xì)節(jié)已在2005年12月5日于美國華盛頓特區(qū)舉行的國際電子器件會議上宣讀的技術(shù)論文中披露。