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臺積電和ARM將聯(lián)手研發(fā)10nm制造工藝

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-09     來源:[標簽:出處]     作者:[標簽:作者]     瀏覽次數(shù):117
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  臺積電、ARM于6號聯(lián)合宣布,雙方已經(jīng)簽訂了新的多年合作協(xié)議,將共同致力于10nm FinFET制造工藝的研發(fā),并為ARMv8-A系列處理器進行優(yōu)化。

  雙方表示,20nm SoC、16nm FinFET工藝節(jié)點上的合作都非常愉快,因此決定攜手走向下一步,并預計最早2015年第四季度實現(xiàn)10nm FinFET工藝的流片。

  臺積電目前正在量產(chǎn)20nm,主要為蘋果、高通等的ARM架構(gòu)處理器服務(wù),并計劃2015年初量產(chǎn)16nm,首次使用FinFET立體晶體管技術(shù),且不久前完成了Cortex-A53/57處理器的流片,華為海思的一顆A57網(wǎng)絡(luò)處理器業(yè)已搞定。

  Intel今年終于拿出了14nm,不出意外將在兩年后也就是2016年發(fā)布發(fā)布10nm的新品。三星、GlobalFoundries等正在努力邁向14nm,更遠的規(guī)劃還沒有公布。

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